Cr4+:YAG - សម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់ការប្តូរ Q អកម្ម
ការពិពណ៌នាពីផលិតផល
Crystal Passive Q-switch ត្រូវបានគេពេញចិត្តសម្រាប់ភាពសាមញ្ញនៃការផលិត និងប្រតិបត្តិការ ការចំណាយទាប និងកាត់បន្ថយទំហំ និងទម្ងន់របស់ប្រព័ន្ធ។
Cr4+:YAG មានស្ថេរភាពគីមី ធន់នឹងកាំរស្មីយូវី ហើយវាប្រើប្រាស់បានយូរ។Cr4+:YAG នឹងដំណើរការលើជួរសីតុណ្ហភាព និងលក្ខខណ្ឌជាច្រើន។
ចរន្តកំដៅដ៏ល្អរបស់ Cr4+:YAG គឺស័ក្តិសមសម្រាប់កម្មវិធីថាមពលមធ្យមខ្ពស់។
លទ្ធផលដ៏អស្ចារ្យត្រូវបានបង្ហាញដោយប្រើ Cr4+:YAG ជាអកម្ម Q-switch សម្រាប់ឡាស៊ែរ Nd:YAG ។ភាពស្ទាត់នៃតិត្ថិភាពត្រូវបានវាស់ប្រហែល 0.5 J/cm2 ។ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញយឺតនៃ 8.5 µs បើប្រៀបធៀបទៅនឹងថ្នាំជ្រលក់គឺមានប្រយោជន៍សម្រាប់ការទប់ស្កាត់ការចាក់សោរបៀប។
Q-switched pulsewidths ពី 7 ទៅ 70 ns និងអត្រាពាក្យដដែលៗរហូតដល់ 30 Hz ត្រូវបានសម្រេច។ការធ្វើតេស្តកម្រិតការខូចខាតឡាស៊ែរបានបង្ហាញពី AR coated Cr4+:YAG passive Q-switches លើសពី 500 MW/cm2។
គុណភាពអុបទិក និងភាពដូចគ្នានៃ Cr4+:YAG គឺល្អឥតខ្ចោះ។ដើម្បីកាត់បន្ថយការបាត់បង់ការបញ្ចូលគ្រីស្តាល់ត្រូវបានស្រោបដោយ AR ។Cr4+: គ្រីស្តាល់ YAG ត្រូវបានផ្តល់ជូនជាមួយនឹងអង្កត់ផ្ចិតស្តង់ដារ និងជួរនៃដង់ស៊ីតេអុបទិក និងប្រវែងដែលត្រូវនឹងលក្ខណៈជាក់លាក់របស់អ្នក។
វាក៏អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីភ្ជាប់ជាមួយNd: YAGនិងNd, Ce:YAG, ទំហំធម្មតាដូចជាD5*(85+5)
អត្ថប្រយោជន៍របស់ Cr4+:YAG
● ស្ថេរភាពគីមីខ្ពស់ និងភាពជឿជាក់
● មានភាពងាយស្រួលក្នុងការដំណើរការ
● កម្រិតនៃការខូចខាតខ្ពស់ (> 500MW/cm2)
● ជាថាមពលខ្ពស់ សភាពរឹង និងបង្រួម Q-Switch អកម្ម
● អាយុកាលយូរ និងចរន្តកំដៅល្អ។
លក្ខណៈសម្បត្តិមូលដ្ឋាន
| ឈ្មោះផលិតផល | Cr4+:Y3Al5O12 |
| រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ | គូប |
| កម្រិត Dopant | 0.5mol-3mol% |
| ភាពរឹងម៉ាំ | ៨.៥ |
| សន្ទស្សន៍ចំណាំងបែរ | 1.82@1064nm |
| ការតំរង់ទិស | <100>ក្នុង 5° ឬក្នុង 5° |
| មេគុណស្រូបយកដំបូង | 0.1 ~ 8.5cm @ 1064nm |
| ការបញ្ជូនបឋម | 3% ~ 98% |
ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស
| ទំហំ | 3 ~ 20mm, H × W: 3 × 3 ~ 20 × 20mm តាមការស្នើសុំរបស់អតិថិជន |
| ការអត់ធ្មត់តាមវិមាត្រ | អង្កត់ផ្ចិត: ± 0.05mm, ប្រវែង: ± 0.5mm |
| ការបញ្ចប់ធុង | ដីបញ្ចប់ 400#Gmt |
| ភាពស្របគ្នា។ | ≤ 20" |
| ភាពកាត់កែង | ≤ 15′ |
| ភាពរាបស្មើ | < λ/10 |
| គុណភាពផ្ទៃ | 20/10 (MIL-O-13830A) |
| រលក | 950 nm ~ 1100nm |
| ថ្នាំលាប AR ការឆ្លុះបញ្ចាំង | ≤ 0.2% (@1064nm) |
| កម្រិតនៃការខូចខាត | ≥ 500MW/cm2 10ns 1Hz នៅ 1064nm |
| Chamfer | <0.1 mm @ 45° |
