ជួរវិសាលគមនៃសម្ភារៈ InGaAs គឺ 900-1700nm ហើយសម្លេងរំខានគឺទាបជាងសម្ភារៈ germanium ។ជាទូទៅវាត្រូវបានគេប្រើជាតំបន់គុណសម្រាប់ diodes heterostructure ។សម្ភារៈគឺសមរម្យសម្រាប់ការទំនាក់ទំនងខ្សែកាបអុបទិកដែលមានល្បឿនលឿន ហើយផលិតផលពាណិជ្ជកម្មបានឈានដល់ល្បឿន 10Gbit/s ឬខ្ពស់ជាងនេះ។